{"id":11541,"date":"2021-05-30T14:06:22","date_gmt":"2021-05-30T14:06:22","guid":{"rendered":"https:\/\/\/stmicroelectronics-associe-gan-et-microcontroleurs-sur-une-meme-puce\/"},"modified":"2021-05-30T14:06:22","modified_gmt":"2021-05-30T14:06:22","slug":"stmicroelectronics-associe-gan-et-microcontroleurs-sur-une-meme-puce","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/stmicroelectronics-associe-gan-et-microcontroleurs-sur-une-meme-puce\/","title":{"rendered":"STMicroelectronics associe GaN et microcontr\u00f4leurs sur une m\u00eame puce"},"content":{"rendered":"

STMicroelectronics d\u00e9veloppe une technologie de process qui combinera des microcontr\u00f4leurs avec du nitrure de gallium (GaN) dans une seule puce. La technologies est bas\u00e9e sur le process bipolaire-CMOS-DMOS (BCD) pour lequel ST a re\u00e7u un jalon IEEE pour le d\u00e9veloppement de la technologie.<\/p>\n

Le d\u00e9veloppement du BCD a commenc\u00e9 il y a 35 ans, combinant analogique, logique, m\u00e9moire et puissance dans un process de 4 microns sur des plaquettes de 4 pouces. La 10e g\u00e9n\u00e9ration commencera bient\u00f4t la production sur un process de 90 nm et cela conduira \u00e0 un process de 40 nm avec des microcontr\u00f4leurs hautement int\u00e9gr\u00e9s pour les appareils de charge \u00e0 fil et sans fil et de nombreuses autres applications d’alimentation.<\/p>\n

\u00abLa feuille de route consiste \u00e0 augmenter le traitement num\u00e9rique et \u00e0 augmenter la puissance et la tension, avec la personnalisation des process\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Guiseppe Croce, directeur g\u00e9n\u00e9ral de la recherche et du d\u00e9veloppement des technologies de puissance intelligente chez ST.<\/p>\n

La g\u00e9n\u00e9ration actuelle utilise un process de 90 nm avec une m\u00e9moire non volatile \u00e0 changement de phase. \u00abLe d\u00e9veloppement de la g\u00e9n\u00e9ration suivante est bas\u00e9 sur une technologie propri\u00e9taire de 40 nm pour nos produits microcontr\u00f4leurs, mais il existe de nombreux d\u00e9fis pour l’int\u00e9gration, y compris la caract\u00e9risation de la diaphonie entre les domaines\u00bb, a-t-il d\u00e9clar\u00e9.<\/p>\n

Il s\u2019agit du 52e jalon IEEE d\u00e9cern\u00e9 \u00e0 la r\u00e9gion europ\u00e9enne et prend place aux c\u00f4t\u00e9s des \u00e9quations de Maxwell, de la batterie de Volta, de la t\u00e9l\u00e9graphie sans fil de Marconi en 1902, du craquage du code de Bletchley Park au Royaume-Uni et du d\u00e9veloppement de la cryptographie \u00e0 cl\u00e9 publique en 1975.<\/p>\n

ST a trait\u00e9 plus de 5 millions de plaquettes au cours des 35 ann\u00e9es de la technologie BCD, avec plus de 40 milliards de puces produites, dont 3 milliards l’ann\u00e9e derni\u00e8re, marquant l’acc\u00e9l\u00e9ration de l’adoption de la technologie.<\/p>\n

Une autre \u00e9tape consiste \u00e0 ajouter la technologie de haute puissance au nitrure de gallium (GaN) au processus BCD. Les pilotes sont d\u00e9j\u00e0 int\u00e9gr\u00e9s sur une seule puce monolithique mais l’\u00e9tape d’ajout de microcontr\u00f4leurs est importante.<\/p>\n

\u00abL’utilisation de mat\u00e9riaux semiconducteurs alternatifs tels que les mat\u00e9riaux \u00e0 large bande interdite devient courante avec le SiC en t\u00eate. Les architectures GaN semblent prometteuses pour une future int\u00e9gration \u00e9lectrique monolithique avec une efficacit\u00e9 et une tension accrues \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Orio Bellezza, pr\u00e9sident de la technologie, de la fabrication et de la qualit\u00e9 chez ST.<\/p>\n

\u00abEn combinant les avantages du GaN avec les mat\u00e9riaux traditionnels en silicium, nous pouvons r\u00e9pondre \u00e0 un grand nombre d’applications. Les solutions int\u00e9gr\u00e9es int\u00e8grent des transformateurs sans noyau sur des plates-formes BCD miniatures, mais le d\u00e9fi est la haute tension o\u00f9 l’isolation de 6kV est une tendance claire. Malgr\u00e9 l’utilisation de couches di\u00e9lectriques, des d\u00e9fis majeurs d’int\u00e9gration sont soulev\u00e9s par l’\u00e9paisseur des couches requises. \u00bb<\/p>\n

\u00abLa puissance intelligente joue toujours un r\u00f4le important\u00bb, a-t-il d\u00e9clar\u00e9. \u00abIl y a deux d\u00e9fis majeurs. L’\u00e9volution historique cr\u00e9e des d\u00e9fis majeurs dans la mise \u00e0 l’\u00e9chelle des \u00e9tages de puissance et analogiques. De l’autre c\u00f4t\u00e9, il y a un d\u00e9fi d’optimisation des co\u00fbts qui a toujours \u00e9t\u00e9 un facteur cl\u00e9. L\u2019innovation sera le moteur de l\u2019\u00e9volution. \u00bb<\/p>\n

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www.st.com<\/a><\/p>\n

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