{"id":107418,"date":"2018-10-03T14:17:43","date_gmt":"2018-10-03T14:17:43","guid":{"rendered":"https:\/\/\/stmicro-en-partenariat-avec-le-leti-pour-le-gan-en-volume-sur-200mm\/"},"modified":"2018-10-03T14:17:43","modified_gmt":"2018-10-03T14:17:43","slug":"stmicro-en-partenariat-avec-le-leti-pour-le-gan-en-volume-sur-200mm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/stmicro-en-partenariat-avec-le-leti-pour-le-gan-en-volume-sur-200mm\/","title":{"rendered":"STMicro en partenariat avec le Leti pour le GaN en volume sur 200mm"},"content":{"rendered":"

\nCette technologie de puissance <\/span><\/span>GaN-sur-Si permettra \u00e0 ST d’adresser des applications \u00e0 haute efficacit\u00e9 et haute puissance, notamment les chargeurs embarqu\u00e9s automobiles pour v\u00e9hicules hybrides et \u00e9lectriques, la charge sans fil et les serveurs<\/span><\/span><\/p>\n

La collaboration porte sur le d\u00e9veloppement et la qualification des architectures de diodes et de transistors GaN sur silicium de puissance sur des plaquettes de 200 mm au lieu des plaquettes de 150 mm actuellement utilis\u00e9es ce qui permettra un production plus \u00e9lev\u00e9e et plus \u00e9conomique.<\/span> La firme de recherche IHS Markit estime que ce march\u00e9 devrait cro\u00eetre \u00e0 un TCAC sup\u00e9rieur \u00e0 20% de 2019 \u00e0 2024.<\/span><\/span><\/p>\n

CMOS FAB COMPATIBLE GaN GOES TO 200MM WAFERS, COULD REACH 300MM<\/a><\/p>\n

Dans le cadre du projet IRT Nanoelec<\/a>, ST et le Leti d\u00e9veloppent la technologie de fabrication sur la ligne de recherche et d\u00e9veloppement de 200 mm du Leti et pr\u00e9voient la validation des \u00e9chantillons d’ing\u00e9nierie en 2019. Parall\u00e8lement, ST mettra en place une ligne de fabrication enti\u00e8rement qualifi\u00e9e, comprenant une h\u00e9rt\u00e9ro-\u00e9pitaxie GaN \/ Si<\/span>, avec une premi\u00e8re production dans l’usine de fabrication de plaquettes de ST \u00e0 Tours, en France, d’ici 2020. Le Leti, un institut de recherche du CEA Tech, a \u00e9galement apport\u00e9 sa technologie GaN de puissance \u00e0 la start-up fran\u00e7aise, Exagan.<\/span><\/span><\/p>\n

Le substrat de silicium n’est qu’une partie du d\u00e9fi. <\/span>Le Leti et le ST \u00e9tudient \u00e9galement de nouvelles techniques pour am\u00e9liorer le conditionnement des puces lors de l’assemblage de modules d’alimentation haute densit\u00e9 de puissance.<\/span><\/span><\/p>\n

\u00abReconnaissant la valeur incroyable des semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite, les contributions de ST au CEA-Leti dans les technologies de fabrication et d’assemblage des composants de puissance GaN-sur-Si nous permettent de disposer du portefeuille le plus complet du march\u00e9 en mati\u00e8re de produits et de capacit\u00e9s GaN et SiC, en plus de notre <\/span>comp\u00e9tence confirm\u00e9e pour fabriquer des produits fiables et de haute qualit\u00e9 en volume \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Marco Monti, pr\u00e9sident de Automotive and Discrete Group, STMicroelectronics.<\/span><\/span><\/p>\n

\n\u00abS\u2019appuyant sur la plate-forme g\u00e9n\u00e9rique 200 mm du Leti, l\u2019\u00e9quipe du Leti s\u2019engage pleinement \u00e0 soutenir la feuille de route strat\u00e9gique de l\u2019\u00e9lectronique de puissance GaN-sur-Si de ST et est pr\u00eate \u00e0 transf\u00e9rer la technologie sur la ligne de fabrication d\u00e9di\u00e9e de GaN-sur-Si de ST \u00e0 Tours. <\/span>Ce co-d\u00e9veloppement, impliquant des \u00e9quipes des deux c\u00f4t\u00e9s, exploite le programme-cadre IRT Nanoelec pour \u00e9largir l’expertise requise et innover d\u00e8s le d\u00e9part au niveau des composants et des syst\u00e8mes \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Emmanuel Sabonnadiere, PDG de Leti.<\/span><\/span><\/p>\n

\u00e0 suivres: GaN RF et SiC<\/strong><\/em><\/p>\n

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ST a r\u00e9cemment annonc\u00e9 un autre d\u00e9veloppement de GaN-on-Silicon pour les applications RF avec MACOM, destin\u00e9 \u00e0 \u00eatre utilis\u00e9 par MACOM dans une large gamme d\u2019applications RF et \u00e0 \u00eatre utilis\u00e9 par ST dans des march\u00e9s autres que ceux des t\u00e9l\u00e9communications. <\/span>Cette technologie utilise une approche architecturale fondamentalement diff\u00e9rente et est utilis\u00e9e sur des plaquettes de 150 mm.<\/span><\/span><\/p>\n

Jusqu’\u00e0 pr\u00e9sent, ST s’est concentr\u00e9 sur la production en volume de composants en carbure de silicium (SiC), fonctionnant \u00e0 des tensions plus \u00e9lev\u00e9es avec une tension de blocage de plus de 1700 V, un taux d’avalanche de plus de 1800 V et une faible r\u00e9sistance en conduction, ce qui en fait un bon choix pour les applications <\/span>telles que les v\u00e9hicules \u00e9lectriques, les convertisseurs pour le solaire et les \u00e9quipements de soudage.<\/span><\/span><\/p>\n

www.st.com<\/a><\/p>\n

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