{"version":"1.0","provider_name":"EENewsEurope","provider_url":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/","author_name":"eeNews Europe","author_url":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/author\/eenews-europe\/","title":"Double transistor NMOS haute-temp\u00e9rature","type":"rich","width":600,"height":338,"html":"<blockquote class=\"wp-embedded-content\" data-secret=\"LCy5X2qgXi\"><a href=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/double-transistor-nmos-haute-temperature\/\">Double transistor NMOS haute-temp\u00e9rature<\/a><\/blockquote><iframe sandbox=\"allow-scripts\" security=\"restricted\" src=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/double-transistor-nmos-haute-temperature\/embed\/#?secret=LCy5X2qgXi\" width=\"600\" height=\"338\" title=\"\u00ab\u00a0Double transistor NMOS haute-temp\u00e9rature\u00a0\u00bb &#8212; EENewsEurope\" data-secret=\"LCy5X2qgXi\" frameborder=\"0\" marginwidth=\"0\" marginheight=\"0\" scrolling=\"no\" class=\"wp-embedded-content\"><\/iframe><script type=\"text\/javascript\">\n\/* <![CDATA[ *\/\n\/*! This file is auto-generated *\/\n!function(d,l){\"use strict\";l.querySelector&&d.addEventListener&&\"undefined\"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!\/[^a-zA-Z0-9]\/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),c=new RegExp(\"^https?:$\",\"i\"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display=\"none\";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute(\"style\"),\"height\"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):\"link\"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute(\"src\")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener(\"message\",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener(\"DOMContentLoaded\",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll(\"iframe.wp-embedded-content\"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute(\"data-secret\"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+=\"#?secret=\"+t,e.setAttribute(\"data-secret\",t)),e.contentWindow.postMessage({message:\"ready\",secret:t},\"*\")},!1)))}(window,document);\n\/* ]]> *\/\n<\/script>\n","thumbnail_url":"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/import\/default\/files\/import\/eci2014_cissoid-copie.jpg","thumbnail_width":288,"thumbnail_height":172,"description":"Disponible en bo\u00eetier faible encombrement de type CMS c\u00e9ramique herm\u00e9tique CSOIC16, le double transistor MOSFET 40V canal-N Moon va permettre aux concepteurs d'atteindre une plus grande densit\u00e9 et niveau d'int\u00e9gration pour leurs syst\u00e8mes. Il peut commuter des courants jusqu'\u00e0 2A, et constitue une solution fiable et robuste pour un fonctionnement en continu sur la gamme de temp\u00e9rature de -55\u00b0C \u00e0 +225\u00b0C. Ce double-transistor fait partie de la famille Planet, famille de transistors et de switches haute temp\u00e9rature et haute fiabilit\u00e9. Son minuscule bo\u00eetier CSOIC16 et son brochage sont optimis\u00e9s pour r\u00e9duire les inductances et les capacit\u00e9s parasites lorsque les deux MOSFET canal N sont utilis\u00e9s en \u00e9tage push-pull, tel que dans des convertisseurs DC-DC et contr\u00f4le moteur."}