DRAM 8 Gb pour applications mobiles 5G
La nouvelle LPDDR5 8 Gb est le dernier né des solutions DRAM haut de gamme de Samsung, incluant une DRAM GDDR6 16 Gb de classe 10 nm (produite en série depuis décembre 2017) et une DRAM DDR5 16 Gb (développée en février).
« Ce développement de LPDDR5 8 Gb représente un pas en avant vers des solutions de mémoire mobile basse consommation », a déclaré Jinman Han, vice-président directeur de la planification des produits et de l’ingénierie des applications mémoire chez Samsung Electronics. « Nous continuerons à développer notre gamme de DRAM de classe 10 nm nouvelle génération tout en accélérant la tendance à une plus grande utilisation de la mémoire haut de gamme dans le monde. »
La LPDDR5 8 Gb possède une vitesse de données de 6 400 mégabits par seconde (Mb/s), soit 1,5 fois plus rapide que les puces DRAM mobiles utilisées dans les appareils mobiles haut de gamme actuels (LPDDR4X, 4266 Mb/s). Avec un taux de transfert accru, la nouvelle LPDDR5 peut envoyer 51,2 gigaoctets (Go) de données, ou environ 14 fichiers vidéo full HD (3,7 Go chacun), en une seconde.
La DRAM LPDDR5 de classe 10 nm sera disponible en deux largeurs de bande passante : 6,400 Mb/s à une tension de fonctionnement (V) de 1,1 et 5 500 Mb/s à 1,05 V ce qui en fait la solution de mémoire mobile la plus polyvalente pour les téléphones intelligents et les systèmes automobile de nouvelle génération. Ces avancées en termes de performance ont été possibles grâce à plusieurs améliorations de l’architecture. En doublant le nombre de « banques » de mémoire (des sous-divisions dans une cellule DRAM) de 8 à 16, la nouvelle mémoire peut atteindre une vitesse supérieure tout en réduisant la consommation d’énergie. La LPDDR5 8 Gb utilise également une architecture de circuit hautement avancée et à vitesse optimisée qui vérifie et garantit la performance très haute vitesse de la puce.
Pour maximiser les économies d’énergie, la LPDDR5 de classe 10 nm a été fabriquée pour réduire sa tension conformément à la vitesse de fonctionnement du processeur d’application correspondant, en mode actif. Elle a également été configurée pour éviter d’écraser les cellules avec des valeurs ‘0’. De plus, la nouvelle puce LPDDR5 offrira un ‘mode veille prolongée’, qui réduit de moitié l’utilisation d’énergie comparé au ‘mode veille’ de la DRAM LPDDR4X actuelle. Grâce à ces caractéristiques basse consommation, la DRAM LPDDR5 8 Gb fournira une réduction de la consommation d’énergie de 30 %, maximisant la performance des appareils mobiles et prolongeant la durée de vie des batteries des téléphones intelligents.
Grâce à sa largeur de bande passante la plus grande de l’industrie, la LPDDR5 pourra alimenter l’IA et les applications d’apprentissage automatique et elle sera compatible avec l’UHD pour les appareils mobiles du monde entier.
Samsung et les vendeurs de puce leaders dans le monde ont réalisé des tests fonctionnels et ont validé un prototype de module DRAM LPDDR5 8 Go se composant de huit puces LPDDR5 8 Gb. C’est dans son infrastructure de fabrication de pointe de sa dernière gamme à Pyeongtaek, en Corée, que Samsung prévoit de lancer la production en série de ses gammes de DRAM nouvelle génération (LPDDR5, DDR5 and GDDR6) pour répondre aux demandes des clients du monde entier.
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